非晶硫系玻璃半导体Ge(S, Se)2薄膜的光致效应

报道了GeS2和GeSe2非晶半导体薄膜经过光照后，薄膜的光学透射边均出现绿移，这种绿多在预先退火后的薄膜中是可逆的，即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置。通过透射电子显微镜测试，在光照后的GeS2和GeSe2薄膜中观察到光致结晶现象。利用薄膜的这些光致效应特性可以设计出新型的光存储材料。