%0 Journal Article
%T 非晶硫系玻璃半导体Ge(S, Se)2薄膜的光致效应
%A 刘启明
%A 干福熹
%J 科学通报
%D 2002
%I 
%X 报道了GeS2和GeSe2非晶半导体薄膜经过光照后，薄膜的光学透射边均出现绿移，这种绿多在预先退火后的薄膜中是可逆的，即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置。通过透射电子显微镜测试，在光照后的GeS2和GeSe2薄膜中观察到光致结晶现象。利用薄膜的这些光致效应特性可以设计出新型的光存储材料。
%K 光致效应
%K GeS2
%K GeSe2
%K 非晶硫系半导体薄膜
%K 光致漂白
%K 光致结晶
%K 光存储材料
%K 绿移
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=35D7BBB905F11BFF&yid=C3ACC247184A22C1&vid=F4B561950EE1D31A&iid=5D311CA918CA9A03&sid=1FA4E9C3E6E88FC8&eid=F16C0F639D87527E&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=11