SiC薄膜的热辐射特性研究

计算了不同厚度的碳化硅(SiC)薄膜的吸收率,发现厚度在几十至100μm、上下表面平行的碳SiC薄膜的热辐射具有良好的干涉性质.由于SiC独特的光学性质,薄膜对10μm的入射波吸收率达到0.98,接近黑体的吸收率;而对于10.5至12.4μm波段的热辐射,又几乎变得不吸收.计算还表明,SiC薄膜的半球发射率跟温度有关,在300至500K之间,半球发射率比较高.