%0 Journal Article
%T SiC薄膜的热辐射特性研究
%A 韩茂华
%A 梁新刚
%A 黄勇
%J 科学通报
%D 2005
%I 
%X 计算了不同厚度的碳化硅(SiC)薄膜的吸收率,发现厚度在几十至100μm、上下表面平行的碳SiC薄膜的热辐射具有良好的干涉性质.由于SiC独特的光学性质,薄膜对10μm的入射波吸收率达到0.98,接近黑体的吸收率;而对于10.5至12.4μm波段的热辐射,又几乎变得不吸收.计算还表明,SiC薄膜的半球发射率跟温度有关,在300至500K之间,半球发射率比较高.
%K 碳化硅
%K 薄膜
%K 热辐射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=1A3DF97831DE32EF&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=771152D1ADC1C0EB&iid=B31275AF3241DB2D&sid=4964C30D71DF45FF&eid=E543FC2C7CA75C74&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=16