阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为

阿霉素（ADM）在0．005mol.L^-1Tris/0.05mol.L^-1NaCl溶液中，在Co/GCE上有一灵敏的还原峰，。峰电位为－0．62V（对SCE），峰电流与ADM的浓度有关，用线性扫描和循环伏安等手段研究体系的电化学行为，实验表明，电极过程是受吸附控制的准可逆过程，注入的钴催化了ADM的还原，根据Laviron 吸附理论，求得电极反应速率常数k0=2.15s^-1，电荷转移系数α＝0．62，用X射线光电子能谱（XPS）和俄歇电子能谱（AES）等表面分析手段，对离子注入修饰电极表面的元素组成，价态和深度分 布进行测定，钴离子确实对注入在GCE表面，并初步认为，被注入的Co形成的Co-C催化ADM在电极上的还原。