%0 Journal Article
%T 阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为
%A 胡劲波
%A 黄清泉
%A 李启隆
%J 科学通报
%D 2001
%I 
%X 阿霉素（ADM）在0．005mol.L^-1Tris/0.05mol.L^-1NaCl溶液中，在Co/GCE上有一灵敏的还原峰，。峰电位为－0．62V（对SCE），峰电流与ADM的浓度有关，用线性扫描和循环伏安等手段研究体系的电化学行为，实验表明，电极过程是受吸附控制的准可逆过程，注入的钴催化了ADM的还原，根据Laviron 吸附理论，求得电极反应速率常数k0=2.15s^-1，电荷转移系数α＝0．62，用X射线光电子能谱（XPS）和俄歇电子能谱（AES）等表面分析手段，对离子注入修饰电极表面的元素组成，价态和深度分 布进行测定，钴离子确实对注入在GCE表面，并初步认为，被注入的Co形成的Co-C催化ADM在电极上的还原。
%K 阿霉素
%K 离子注入
%K 修饰电极
%K 电化学行为
%K 表面分析
%K 抗肿瘤药物
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=78DA5D6B69CC46EA&yid=14E7EF987E4155E6&vid=D997634CFE9B6321&iid=5D311CA918CA9A03&sid=00520952CD4BF212&eid=8DDBA6455F2E3ECF&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=8