用触针下分布电阻的光电导相位法测量半导体中非平衡载流子寿命

到目前为止,半导体中非平衡载流子寿命测试方法近三十种。这些方法一般可分为定态法(卽间接测量)和非定态法(卽直接测量)两大类。本文所讨论的测试法是属于非定态法测量这一类。当半导体表面受到正弦调制光照时,如果样品满足半无限大假定,那么半导体内部非平衡载流子浓度(n)应满足连续性方程: _n/_t=D ~2n/x~2-n/τ++I_0βke~(-kx)(1+e~(jwt)) (1)式中t表示时间,x表示沿光照方向坐标,τ是样品寿命,D是双极扩散常数,I_0是单位时间、单位光照面上平均入射的光子数,β是量子产额,k是激发光的吸收系数,ω是调制的频率。令方程(1)的解具有下列形式: