从熔体中生长金属和半导体单晶技术的进展

引言天然单晶中有相当多的缺陷,诸如位错、杂质偏析等,往往不能满足研究及工业上的要求。在人工培养的单晶中,缺陷大为减少;而且,用人工方法还能培养出一定缺陷、各种形状及天然不存在的单晶。根据母相状态,晶体生长可分为从气相、溶液、熔体及固体中生长四种情况。有关晶体生长机理及技术,已发表了很多论文及专著。前者(生长机理方面)可参看1949年Faraday学会讨论会刊,1958年在Cooper-stown举行的晶体生长和完整性会议的论文集,苏联1956—1964年四次晶体生长会议的论文集等;后者(生长技术方面)将在下面叙述。