%0 Journal Article
%T 从熔体中生长金属和半导体单晶技术的进展
%A 王渭源
%J 科学通报
%D 1965
%I 
%X 引言天然单晶中有相当多的缺陷,诸如位错、杂质偏析等,往往不能满足研究及工业上的要求。在人工培养的单晶中,缺陷大为减少;而且,用人工方法还能培养出一定缺陷、各种形状及天然不存在的单晶。根据母相状态,晶体生长可分为从气相、溶液、熔体及固体中生长四种情况。有关晶体生长机理及技术,已发表了很多论文及专著。前者(生长机理方面)可参看1949年Faraday学会讨论会刊,1958年在Cooper-stown举行的晶体生长和完整性会议的论文集,苏联1956—1964年四次晶体生长会议的论文集等;后者(生长技术方面)将在下面叙述。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=7A1B901A6DD8DFB0&yid=DCB97F70EF167067&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=B31275AF3241DB2D&sid=20ADD38F841C6A4B&eid=20ADD38F841C6A4B&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=0