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ISSN: 2333-9721
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科学通报  1989 

Al_xGa_(1-x)As中3d过渡金属杂质深能级

Keywords: 化合物半导体,3d杂质,深能级

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Abstract:

由于Al_xGa_(1-x)As半导体合金在光电子学中得到重要的应用,故它的各种物理性质引起人们广泛的兴趣,其中包括各种深浅杂质的电子结构。但是,相对而言,人们对Al_xGa_(1-x)As中3d过渡金属杂质电子态了解还很不够,对不少3d杂质实验研究还很缺乏,尤其是由于3d杂质复杂的多电子特性,迄今还没有见到关于Al_xGa_(1-x)As中3d杂质深能级的详细理论研究。另外,了解这样一种典型的阳离子准二元合金中3d过渡金属杂质深能级随合金成份的变化趋

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