%0 Journal Article
%T Al_xGa_(1-x)As中3d过渡金属杂质深能级
%A 顾一鸣
%J 科学通报
%D 1989
%I 
%X 由于Al_xGa_(1-x)As半导体合金在光电子学中得到重要的应用,故它的各种物理性质引起人们广泛的兴趣,其中包括各种深浅杂质的电子结构。但是,相对而言,人们对Al_xGa_(1-x)As中3d过渡金属杂质电子态了解还很不够,对不少3d杂质实验研究还很缺乏,尤其是由于3d杂质复杂的多电子特性,迄今还没有见到关于Al_xGa_(1-x)As中3d杂质深能级的详细理论研究。另外,了解这样一种典型的阳离子准二元合金中3d过渡金属杂质深能级随合金成份的变化趋
%K 化合物半导体
%K 3d杂质
%K 深能级
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=FCD86AB3AA44A86C0EBE6D4230B33FBA&yid=1833A6AA51F779C1&vid=339D79302DF62549&iid=E158A972A605785F&sid=0F7768518993EDDE&eid=0F7768518993EDDE&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=1