ABNORMAL INCREASE OF THE RESISTIVITY OF Au/NiCr/Ta MULTILAYER AFTER ANNEALING
Au/NiCr/Ta多层金属膜退火后的电阻率异常增大

用磁控溅射方法在Al2O3基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜，通过X射线衍射技术研究退火前后薄膜晶体取向的变化，Auger电子能谱分析退火前后薄膜沿深度方向的元素分布，四点探针测试退火前后薄膜表面电阻率。结果表明：退火后111Au与200Au衍射强度相对比值减小；薄膜表面电阻率异常增大；退火温度越高，薄膜表面电阻率越大。分析认为主要是由于Ni,Cr元素向金属表层扩散导致薄膜表面电阻率异常增大。