%0 Journal Article
%T ABNORMAL INCREASE OF THE RESISTIVITY OF Au/NiCr/Ta MULTILAYER AFTER ANNEALING<br>Au/NiCr/Ta多层金属膜退火后的电阻率异常增大
%A TANG Wu
%A XU Kewei
%A WANG Ping
%A LI Xian
%A <br>唐武
%A 徐可为
%A 王平
%A 李弦
%J 金属学报
%D 2003
%I 
%X 用磁控溅射方法在Al2O3基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜，通过X射线衍射技术研究退火前后薄膜晶体取向的变化，Auger电子能谱分析退火前后薄膜沿深度方向的元素分布，四点探针测试退火前后薄膜表面电阻率。结果表明：退火后111Au与200Au衍射强度相对比值减小；薄膜表面电阻率异常增大；退火温度越高，薄膜表面电阻率越大。分析认为主要是由于Ni,Cr元素向金属表层扩散导致薄膜表面电阻率异常增大。
%K Au/NiCr/Ta
%K multilayer
%K resistivity
%K diffusion<br>退火
%K Au／NiCr／Ta
%K 多层金属膜
%K 电阻率
%K 扩散
%K 微波集成电路
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=AB188D3B70B071C57EB64E395D864ECE&jid=B061E1135F1CBDEE96CD96C109FEAD65&aid=E94E2435F1B87D2F&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=7C3A4C1EE6A45749&iid=0B39A22176CE99FB&sid=9D453329DCCABB94&eid=0584DB487B4581F4&journal_id=0412-1961&journal_name=金属学报&referenced_num=4&reference_num=9