离子束诱导转型成结的碲镉汞光伏器件

离子束诱导转型成结技术是一种可以获得高质量p-n结的新型成结方法，它克服了传统碲镉汞(MCT)离子注入成结工艺中钝化层有损伤的弊病，且工艺相对简单，有希望成为碲镉汞红外焦平面器件的新一代成结技术。本文介绍了以环孔工艺和氢化技术为代表的常规离子束刻蚀(Ion Beam Milling)及以H2／CH4为代表的反应离子束刻蚀(Reactive Ion Etching)两大类离子束诱导转型(Plasma induced type conversion)成结技术的基本原理、特点及其工艺过程。并以反应离子束刻蚀(RIE)为例，列举了现有报道的典型器件性能。同时还把离子束诱导与离子注入工艺在各方面作了比较。