Structural and Photoluminescence Properties of ZnO Films Grown by Pulsed Laser Deposition Technique
用脉冲激光沉积方法制备的ZnO薄膜的结构及光致发光特性

在从室温到800 ℃的温度范围内，用脉冲激光沉积方法在Al2O3(0001)衬底上制备了ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜以及荧光光谱仪分别研究了衬底温度对ZnO薄膜表面形貌、结晶质量和光致发光特性的影响。X射线衍射仪和原子力显微镜的结果表明，当衬底温度从室温升高到400 ℃时，ZnO薄膜的结构及结晶质量逐渐提高，而当衬底温度超过400 ℃时，其结构和结晶质量变差；在400 ℃下生长的ZnO薄膜具有最佳的表面形貌和结晶质量。室温光致发光的测量结果表明，400 ℃下生长的ZnO薄膜的紫外发光强度最强，且发光波长最短(386 nm)。