氮化铝为军用短波发光二极管打基础

发展波长最短的、基于氮化镓(GaN)的发光二极管(LED),必然要依靠高比例的铝(AI)。AIN的带隙在适用于制作LED的氮化物中是属于最高的,而且有可能被用于短至200nm的波长。现在,美国Crystal IS公司正在为美国的半导体紫外光源(SUV0S)计划提供单晶AIN衬底。