%0 Journal Article
%T 氮化铝为军用短波发光二极管打基础
%A 高国龙
%J 红外
%D 2003
%I 
%X 发展波长最短的、基于氮化镓(GaN)的发光二极管(LED),必然要依靠高比例的铝(AI)。AIN的带隙在适用于制作LED的氮化物中是属于最高的,而且有可能被用于短至200nm的波长。现在,美国Crystal IS公司正在为美国的半导体紫外光源(SUV0S)计划提供单晶AIN衬底。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=81D7041E8F17F98C47FE74EF080158C0&yid=D43C4A19B2EE3C0A&iid=59906B3B2830C2C5&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0