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ISSN: 2333-9721
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红外  2006 

Next Step of CMOS Imaging Sensors
CMOS成像传感器的下一步

Keywords: CMOS传感器,成像传感器,互补金属氧化物半导体,20世纪80年代,CCD传感器,CCD器件,制造方法,设计人员,成像电路,成本模型

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Abstract:

用互补金属氧化物半导体(CMOS)的制造方法来生产成像传感器列阵芯片,这种可能性在20世纪80年代末得到了验证。从那时起,以 DRAM成本模型把所有的模拟和数字成像电路都集成在单片上一直是CMOS传感器设计人员梦寐以求的目标。然而,在此期间,CCD器件的制造商不断地减小CCD传感器列阵的尺寸并降低其价格以使CMOS传感器在市场上站不住脚。

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