%0 Journal Article
%T Next Step of CMOS Imaging Sensors<br>CMOS成像传感器的下一步
%A 顾聚兴
%J 红外
%D 2006
%I 
%X 用互补金属氧化物半导体(CMOS)的制造方法来生产成像传感器列阵芯片,这种可能性在20世纪80年代末得到了验证。从那时起,以 DRAM成本模型把所有的模拟和数字成像电路都集成在单片上一直是CMOS传感器设计人员梦寐以求的目标。然而,在此期间,CCD器件的制造商不断地减小CCD传感器列阵的尺寸并降低其价格以使CMOS传感器在市场上站不住脚。
%K CMOS传感器
%K 成像传感器
%K 互补金属氧化物半导体
%K 20世纪80年代
%K CCD传感器
%K CCD器件
%K 制造方法
%K 设计人员
%K 成像电路
%K 成本模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=13DA132229EED3C9&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=1AE5323881A5ECDC&eid=3A41088A9E1E4E71&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0