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ISSN: 2333-9721
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红外  2007 

Ⅱ型量子阱中红外光电子器件

Keywords: 光电子器件,量子阱,中红外,Ⅱ型,InGaAsSb,InP衬底,激活,空穴

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Abstract:

本发明提供一种Ⅱ型量子阱中红外光电子器件。该器件做在InP衬底上，InP衬底上有一个激活区，激活区中有一层InAsN或InGaAsN电子量子阱层和一层GaAsSb或InGaAsSb空穴量子阱层，

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