%0 Journal Article
%T Ⅱ型量子阱中红外光电子器件
%A 高编
%J 红外
%D 2007
%I 
%X 本发明提供一种Ⅱ型量子阱中红外光电子器件。该器件做在InP衬底上，InP衬底上有一个激活区，激活区中有一层InAsN或InGaAsN电子量子阱层和一层GaAsSb或InGaAsSb空穴量子阱层，
%K 光电子器件
%K 量子阱
%K 中红外
%K Ⅱ型
%K InGaAsSb
%K InP衬底
%K 激活
%K 空穴
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=1DF13073CDCB189095400363D8953778&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=59906B3B2830C2C5&sid=94C357A881DFC066&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0