国外专利介绍

Ⅱ型量子阱中红外光电子器件美国专利US7256417 (2007年8月14日授权)本发明提供一种Ⅱ型量子阱中红外光电子器件.该器件做在InP衬底上,InP衬底上有一个激活区,激活区中有一层InAsN或InGaAsN电子量子阱层和一层GaAsSb或InGaAsSb空穴量子阱层,它们共同构成了一个Ⅱ型量子阱.这种激活区可以用在以相对比较长