%0 Journal Article
%T 国外专利介绍
%J 红外
%D 2007
%I 
%X Ⅱ型量子阱中红外光电子器件美国专利US7256417 (2007年8月14日授权)本发明提供一种Ⅱ型量子阱中红外光电子器件.该器件做在InP衬底上,InP衬底上有一个激活区,激活区中有一层InAsN或InGaAsN电子量子阱层和一层GaAsSb或InGaAsSb空穴量子阱层,它们共同构成了一个Ⅱ型量子阱.这种激活区可以用在以相对比较长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=86770B526A06CE4FA31599567A2F342C&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=59906B3B2830C2C5&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0