OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元

投递稿件

查看量	下载量

相关文章
更多...

红外 2003

MBE生长HgCdTe材料的As掺杂退火的研究

Keywords: MBE生长,HgCdTe材料,碲镉汞化合物,半导体材料,As掺杂,砷掺杂,退火,分子束外延生长,红外焦平面探测器

Full-Text Cite this paper Add to My Lib

Abstract:

1 引言近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPA)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提高。要实现载流子在较大范围内的浓度控制以

Contact Us

service@oalib.com

WhatsApp +8615387084133