%0 Journal Article
%T MBE生长HgCdTe材料的As掺杂退火的研究
%A 徐非凡
%J 红外
%D 2003
%I 
%X 1 引言 近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPA)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提高。要实现载流子在较大范围内的浓度控制以
%K MBE生长
%K HgCdTe材料
%K 碲镉汞化合物
%K 半导体材料
%K As掺杂
%K 砷掺杂
%K 退火
%K 分子束外延生长
%K 红外焦平面探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=CF6F3DFA77AFFE21&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=7555FB9CC973F695&iid=94C357A881DFC066&sid=CA4FD0336C81A37A&eid=482102EA06119A5E&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=3&reference_num=11