远红外探测技术的进展

用分子束外延(MBE)方法生长了Ⅱ—Ⅵ族本征甚长波红外(VLWIR，λc约为20μm—50μm)材料——HgCdTe合金和HgCdTe／CdTe超晶格。用X射线衍射、常规傅里叶变换光谱学、霍尔效应测量技术和透射电子显微技术（TEM)对外延层进行了表征。为了验证这些材料在甚长波红外谱区的适用性，用这些材料制成了光导器件并测得了它们的光谱响应。