%0 Journal Article
%T 远红外探测技术的进展
%A 顾聚兴
%J 红外
%D 2004
%I 
%X 用分子束外延(MBE)方法生长了Ⅱ—Ⅵ族本征甚长波红外(VLWIR，λc约为20μm—50μm)材料——HgCdTe合金和HgCdTe／CdTe超晶格。用X射线衍射、常规傅里叶变换光谱学、霍尔效应测量技术和透射电子显微技术（TEM)对外延层进行了表征。为了验证这些材料在甚长波红外谱区的适用性，用这些材料制成了光导器件并测得了它们的光谱响应。
%K 分子束外延
%K 远红外探测
%K 碲镉汞材料
%K 探测器
%K Ⅱ-Ⅵ族超晶格
%K 霍尔效应
%K 傅里叶变换光谱学
%K 透射电子显微技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=11661F13A8AFCEED&yid=D0E58B75BFD8E51C&iid=0B39A22176CE99FB&sid=1371F55DA51B6E64&eid=94E7F66E6C42FA23&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0