Study of Coupling Factor and Package Structure of InGaAs Optical Detector
InGaAs光纤探测器封装及耦合效率影响因素研究

设计了InGaAs探测器芯片与多模石英光纤的耦合结构，测试了芯片耦合前后的性能变化，并分析了影响耦合效率 的因素。结果表明，石英光纤与InGaAs探测器芯片可以较好地耦合。在0.9 ～1.7 μm波段，当采用与芯片尺径相当 的100 μm光纤进行无透镜直接耦合时，耦合效率可达30 %以上；当采用芯径为500 μm的光纤耦合时，耦合效率可达55 %以上。 多模石英光纤出射端的光强呈高斯分布。随着光纤端面与芯片表面的间距偏差的增加，高斯分布曲线的半宽值增大，光束逐渐发散。芯 片与光纤的对准偏差对耦合效率的影响很大，其中对横向偏移量的依赖性最强。