%0 Journal Article
%T Study of Coupling Factor and Package Structure of InGaAs Optical Detector<br>InGaAs光纤探测器封装及耦合效率影响因素研究
%A Mo De-Feng
%A Liu Da-Fu
%A Xu Qin-Fei
%A Wu Jia-Rong
%A <br>莫德锋
%A 刘大福
%A 徐勤飞
%A 吴家荣
%J 红外
%D 2012
%I 
%X 设计了InGaAs探测器芯片与多模石英光纤的耦合结构，测试了芯片耦合前后的性能变化，并分析了影响耦合效率 的因素。结果表明，石英光纤与InGaAs探测器芯片可以较好地耦合。在0.9 ～1.7 μm波段，当采用与芯片尺径相当 的100 μm光纤进行无透镜直接耦合时，耦合效率可达30 %以上；当采用芯径为500 μm的光纤耦合时，耦合效率可达55 %以上。 多模石英光纤出射端的光强呈高斯分布。随着光纤端面与芯片表面的间距偏差的增加，高斯分布曲线的半宽值增大，光束逐渐发散。芯 片与光纤的对准偏差对耦合效率的影响很大，其中对横向偏移量的依赖性最强。
%K InGaAs detector
%K fiber coupling
%K coupling efficiency<br>InGaAs探测器
%K 光纤耦合
%K 耦合效率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=F2166A6AC62A3C48FC1BD18DAD32879C&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=38B194292C032A66&sid=BCA2697F357F2001&eid=659D3B06EBF534A7&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=11