在220K温度下工作的高性能二维中波红外Hg1-xCdxTe列阵

基于用金属有机汽相外延工艺生长的Hg1-xCdxTe的红外探测器可以设计成具有很小的暗电流，即使当它们在200K以上温度下工作时，也是这样．这些小暗电流与用f／2在200K温度下获得的背景限性能是一致的．然而，实际上这种探测器具有较高的1／f噪声。