%0 Journal Article
%T 在220K温度下工作的高性能二维中波红外Hg1-xCdxTe列阵
%A 高国龙
%J 红外
%D 2005
%I 
%X 基于用金属有机汽相外延工艺生长的Hg1-xCdxTe的红外探测器可以设计成具有很小的暗电流，即使当它们在200K以上温度下工作时，也是这样．这些小暗电流与用f／2在200K温度下获得的背景限性能是一致的．然而，实际上这种探测器具有较高的1／f噪声。
%K Hg1-xCdxTe
%K 中波红外
%K 温度
%K 性能
%K 列阵
%K 二维
%K 红外探测器
%K 1／f噪声
%K 外延工艺
%K 金属有机
%K 暗电流
%K 工作时
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=F8B7D31D82BD4947F0E832FCCF267E5A&yid=2DD7160C83D0ACED&iid=E158A972A605785F&sid=4AD960B5AD2D111A&eid=4AD960B5AD2D111A&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0