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ISSN: 2333-9721
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红外  2004 

Ⅲ族氮化物材料制备

Keywords: 半导体材料,氮化镓材料,晶格匹配,金属有机化学汽相沉积,卤化物汽相外延技术

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Abstract:

Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要的半导体材料。本文主要介绍了用几种外延技术制备GaN材料的方法,并介绍了一种与GaN晶格匹配的新型衬底材料。

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