全部 标题 作者 关键词 摘要
Keywords: 半导体材料,氮化镓材料,晶格匹配,金属有机化学汽相沉积,卤化物汽相外延技术
Full-Text Cite this paper Add to My Lib
Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要的半导体材料。本文主要介绍了用几种外延技术制备GaN材料的方法,并介绍了一种与GaN晶格匹配的新型衬底材料。
Full-Text
Contact Us
service@oalib.com
QQ:3279437679
WhatsApp +8615387084133