%0 Journal Article
%T Ⅲ族氮化物材料制备
%A 李雪
%J 红外
%D 2004
%I 
%X Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要的半导体材料。本文主要介绍了用几种外延技术制备GaN材料的方法，并介绍了一种与GaN晶格匹配的新型衬底材料。
%K 半导体材料
%K 氮化镓材料
%K 晶格匹配
%K 金属有机化学汽相沉积
%K 卤化物汽相外延技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=B92E83D8D54E7C0C&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=B31275AF3241DB2D&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=B91E8C6D6FE990DB&eid=DB817633AA4F79B9&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=13