Study of a GaInAsSb/GaSb Photodetctor and Its I-V Properties
GaInAsSb／GaSb PIN红外探测器及其I—V特性的研究

Keywords: 红外探测器,I-V特性,镓铟砷锑材料,锑化镓材料,禁带宽度

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Abstract:

本文简单介绍了GaInAsSb／GaSb PIN探测器的结构及工作原理，重点分析了生长窗口层和硫钝化两种不同的改善探测器I—V反向偏软的特性的方法。

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