%0 Journal Article
%T Study of a GaInAsSb/GaSb Photodetctor and Its I-V Properties<br>GaInAsSb／GaSb PIN红外探测器及其I—V特性的研究
%A 刘延祥
%A 夏冠群
%A 唐绍裘
%A 程宗权
%J 红外
%D 2004
%I 
%X 本文简单介绍了GaInAsSb／GaSb PIN探测器的结构及工作原理，重点分析了生长窗口层和硫钝化两种不同的改善探测器I—V反向偏软的特性的方法。
%K 红外探测器
%K I-V特性
%K 镓铟砷锑材料
%K 锑化镓材料
%K 禁带宽度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=FC9EAF2BA6B4EAAF&yid=D0E58B75BFD8E51C&iid=94C357A881DFC066&sid=CA4FD0336C81A37A&eid=E158A972A605785F&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=1&reference_num=12