Effect of Different Substrate Temperatures on the Infrared Emissivity Properties of Indium Tin Oxide (ITO) Thin Films
基底温度对ITO薄膜红外发射特性的影响

本文采用射频磁控溅射法制备ITO薄膜，该薄膜具有较低的红外发射率。利用紫外-可见-近红外分光光度计、红外发射率测量仪、四探针测试仪研究了溅射过程中基底温度对ITO薄膜红外特性和光电性能的影响，并且用AFM对ITO薄膜的表面形貌进行了表征。实验发现，随着基底温度的升高，薄膜的表面颗粒增大，透过率、方块电阻、平均红外发射率均会降低。本文还讨论了8μm～14μm波段平均红外发射率与方块电阻之间的关系。