%0 Journal Article
%T Effect of Different Substrate Temperatures on the Infrared Emissivity Properties of Indium Tin Oxide (ITO) Thin Films<br>基底温度对ITO薄膜红外发射特性的影响
%A HU Yalan DIAO Xungang HAO Weichang WANG Cong WANG Jinliang WANG Tianmin
%A <br>胡亚兰
%A 刁训刚
%A 郝维昌
%A 王聪
%A 王金良
%A 王天民
%J 红外
%D 2004
%I 
%X 本文采用射频磁控溅射法制备ITO薄膜，该薄膜具有较低的红外发射率。利用紫外-可见-近红外分光光度计、红外发射率测量仪、四探针测试仪研究了溅射过程中基底温度对ITO薄膜红外特性和光电性能的影响，并且用AFM对ITO薄膜的表面形貌进行了表征。实验发现，随着基底温度的升高，薄膜的表面颗粒增大，透过率、方块电阻、平均红外发射率均会降低。本文还讨论了8μm～14μm波段平均红外发射率与方块电阻之间的关系。
%K ITO film
%K substrate temperature
%K transmittance
%K sheet resistance
%K infrared emis- sivity<br>基底温度
%K ITO薄膜
%K 红外发射
%K 射频磁控溅射法
%K 紫外-可见-近红外分光光度计
%K 四探针测试仪
%K 薄膜表面表征
%K 透过率
%K 氧化铟锡
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=DAE9EA7612C585A5&yid=D0E58B75BFD8E51C&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=659D3B06EBF534A7&eid=B91E8C6D6FE990DB&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=6