中科院上海微系统所研制出高性能短波红外波长扩展器件

据科学网(www.sciencetimes.com.cn)报道,中科院上海微系统与信息技术研究所科研人员针对波长扩展器件中InGaAs线性缓冲层对所需探测光有较强吸收不利于阵列规模提高及同质pn结不利于探测性能提高的问题,凭借该所在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料与器件及分子束外延技