%0 Journal Article
%T 中科院上海微系统所研制出高性能短波红外波长扩展器件
%J 红外
%D 2007
%I 
%X 据科学网(www.sciencetimes.com.cn)报道,中科院上海微系统与信息技术研究所科研人员针对波长扩展器件中InGaAs线性缓冲层对所需探测光有较强吸收不利于阵列规模提高及同质pn结不利于探测性能提高的问题,凭借该所在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料与器件及分子束外延技
%K 探测性能
%K 微系统
%K 中科院
%K 短波红外
%K 器件
%K 波长
%K 上海
%K InGaAs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=29B342F25ADD410B2FD85153E9549F9C&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=59906B3B2830C2C5&sid=C64E045AF25DCE23&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0