用分子束外延生长技术来改进HgCdTe材料的特性和重复性（上）

本文介绍了在利用分子束外延技术生长ＨｇｃｄＴｅ材料方面改进材质量、重复性和柔软性所取得的进展．根据一定的判断标准，对超过１００生的ｎ型外延片的载流子浓度和迁移率、晶体缺陷密度和位错密度给出了统计数据和成品率。另外，还给出了少数载流子寿命的数据。在降低杂质浓度方面，经过不断的改进，我们已经获得可重复的，ｎ型低载流子浓度：（２－１０）×１０＾１４ｃｍ＾－３，而且电子迁移率很高。数据表明，低位错密度的薄