%0 Journal Article
%T 用分子束外延生长技术来改进HgCdTe材料的特性和重复性（上）
%A Edwa.
%A DD
%J 红外
%D 1999
%I 
%X 本文介绍了在利用分子束外延技术生长ＨｇｃｄＴｅ材料方面改进材质量、重复性和柔软性所取得的进展．根据一定的判断标准，对超过１００生的ｎ型外延片的载流子浓度和迁移率、晶体缺陷密度和位错密度给出了统计数据和成品率。另外，还给出了少数载流子寿命的数据。在降低杂质浓度方面，经过不断的改进，我们已经获得可重复的，ｎ型低载流子浓度：（２－１０）×１０＾１４ｃｍ＾－３，而且电子迁移率很高。数据表明，低位错密度的薄
%K 分子束外延
%K 汞镉碲
%K 红外焦平面阵
%K 材料质量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=3723000AE493FCE650601982177048B1&aid=77449D30B22E6FFBD2A5F7E6B73F1EFD&yid=B914830F5B1D1078&iid=E158A972A605785F&sid=BCA2697F357F2001&eid=771469D9D58C34FF&journal_id=1672-8785&journal_name=红外&referenced_num=0&reference_num=0