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红外与毫米波学报 2011
Mid-wavelength infrared InAs/GaSb superlattice grown by molecular beam epitaxy
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Abstract:
报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度，以及界面的优化等，改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配，获得了晶格失配Δa/a=1.5?10-4，原子级平整表面的InAs/GaSb超晶格材料，材料77 K截止波长为4.87 μm.
