%0 Journal Article
%T Mid-wavelength infrared InAs/GaSb superlattice grown by molecular beam epitaxy<br>InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术
%A XU Qing-Qing
%A CHEN Jian-Xin
%A ZHOU Yi
%A LI Tian-Xing
%A LV Xiang
%A HE Li
%A <br>徐庆庆
%A 陈建新
%A 周易
%A 李天兴
%A 吕翔
%A 何力
%J 红外与毫米波学报
%D 2011
%I Science Press
%X 报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度，以及界面的优化等，改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配，获得了晶格失配Δa/a=1.5?10-4，原子级平整表面的InAs/GaSb超晶格材料，材料77 K截止波长为4.87 μm.
%K InAs/GaSb
%K 超晶格
%K 分子束外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=5A63F5AD7FC6A679594A39E206D1AB28&yid=9377ED8094509821&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=94C357A881DFC066&sid=DA74B62FE4348759&eid=A53D7AA35F9929AF&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0