Design and Implementation of Ka-band AlGaN/GaN HEMTs
Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研制

采用缩小源漏间距、优化栅结构和外围结构等措施设计了AlGaN/GaN HEMT，并基于国内的GaN外延片和工艺完成了器件制备。测试表明所研制的AlGaN/GaN HEMT 可以满足Ka波段应用。其中2 75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT在30V漏压下的截止频率（ft）为32GHz，最大振荡频率（fmax）为150GHz；在30GHz连续波测试条件下，线性增益达到10.2dB。6 75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT的截止频率为32GHz，最大振荡频率为92GHz；在30GHz连续波测试条件下，线性增益达到8.5dB。器件的击穿电压在60V以上。