%0 Journal Article
%T Design and Implementation of Ka-band AlGaN/GaN HEMTs<br>Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研制
%A WANG Dong-Fang
%A YUAN Ting-Ting
%A WEI Ke
%A LIU Xin-Yu
%A LIU Guo-Guo
%A <br>王东方
%A 袁婷婷
%A 魏珂
%A 刘新宇
%A 刘果果
%J 红外与毫米波学报
%D 2011
%I Science Press
%X 采用缩小源漏间距、优化栅结构和外围结构等措施设计了AlGaN/GaN HEMT，并基于国内的GaN外延片和工艺完成了器件制备。测试表明所研制的AlGaN/GaN HEMT 可以满足Ka波段应用。其中2 75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT在30V漏压下的截止频率（ft）为32GHz，最大振荡频率（fmax）为150GHz；在30GHz连续波测试条件下，线性增益达到10.2dB。6 75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT的截止频率为32GHz，最大振荡频率为92GHz；在30GHz连续波测试条件下，线性增益达到8.5dB。器件的击穿电压在60V以上。
%K GaN/AlGaN HEMT
%K Ka band
%K millimeter-wave<br>氮化镓、高电子迁移率晶体管、Ka
%K 波段
%K 、毫米波
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=4CEA2113DCD5129E2C1265809DABB991&yid=9377ED8094509821&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=38B194292C032A66&sid=627456E7977439A4&eid=0F7768518993EDDE&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0