HgCdTe photodiode arrays passivated with CdTe Flim
MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵

首次在国内报道了分子束外延（MBE）技术原位碲化镉（CdTe）钝化的碲镉汞（HgCdTe）长波（LW）n -on-p型红外光电二极管列阵的研究成果。基于采用MBE技术在表面生长CdTe介质膜的p型HgCdTe材料，并通过离子注入区的光刻、暴露HgCdTe表面的窗口腐蚀、注入阻挡层硫化锌（ZnS）的生长、形成p-n结的B 注入、注入阻挡层的去除、绝缘介质膜ZnS的生长、金属化和铟柱列阵的制备等工艺，得到了原位CdTe钝化的n -on-p平面型HgCdTe红外光电二极管列阵。从温度为78K的电流与电压（I-V）和动态阻抗与电压（R-V）特性曲线中，发现原位CdTe钝化的光电二极管列阵的零偏动态阻抗比非原位CdTe钝化的提高了1～2倍，零偏压附近的反向偏压位置的动态阻抗极大值甚至提高了30～40倍。因而，对于工作在反向小偏压附近的光电二极管列阵而言，原位CdTe钝化方法非常有利于提高长波光电二极管的探测性能。