%0 Journal Article
%T HgCdTe photodiode arrays passivated with CdTe Flim<br>MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵
%A YE Zhen-Hu
%A HUANG Jian
%A YIN Wen-Ting
%A HU Wei-D
%A FENG Jing-Wen
%A CHEN Lu
%A LIAO Qin-Jun
%A CHEN Hong-Lei
%A LIN Chun
%A HU Xiao-Ning
%A DING Rui-Jun
%A HE Li
%A <br>叶振华
%A 黄建
%A 尹文婷
%A 胡伟达
%A 冯婧文
%A 陈路
%A 廖亲君
%A 陈洪雷
%A 林春
%A 胡晓宁
%A 丁瑞军
%A 何力
%J 红外与毫米波学报
%D 2011
%I Science Press
%X 首次在国内报道了分子束外延（MBE）技术原位碲化镉（CdTe）钝化的碲镉汞（HgCdTe）长波（LW）n -on-p型红外光电二极管列阵的研究成果。基于采用MBE技术在表面生长CdTe介质膜的p型HgCdTe材料，并通过离子注入区的光刻、暴露HgCdTe表面的窗口腐蚀、注入阻挡层硫化锌（ZnS）的生长、形成p-n结的B 注入、注入阻挡层的去除、绝缘介质膜ZnS的生长、金属化和铟柱列阵的制备等工艺，得到了原位CdTe钝化的n -on-p平面型HgCdTe红外光电二极管列阵。从温度为78K的电流与电压（I-V）和动态阻抗与电压（R-V）特性曲线中，发现原位CdTe钝化的光电二极管列阵的零偏动态阻抗比非原位CdTe钝化的提高了1～2倍，零偏压附近的反向偏压位置的动态阻抗极大值甚至提高了30～40倍。因而，对于工作在反向小偏压附近的光电二极管列阵而言，原位CdTe钝化方法非常有利于提高长波光电二极管的探测性能。
%K 碲镉汞
%K 分子束外延
%K 原位碲化镉钝化
%K 动态阻抗
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=5A63F5AD7FC6A6797F58AD58FDBD133F&yid=9377ED8094509821&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=B31275AF3241DB2D&sid=DDDA4F26E8AD3C0E&eid=E3C3E274D87A8C16&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0