Effect of in-situ annealing on the structure and photoluminescence of ZnS thin films
原位退火对磁控溅射制备的ZnS薄膜微结构和发光性能的影响

采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜，利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300℃～500℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响。结果表明退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大小的影响不大，但会显著影响其发光特性。低温退火处理的薄膜的PL谱具有多个发光峰，而500℃退火的薄膜则表现为单一发光峰结构。PL谱的这种变化是由于退火引起ZnS薄膜中的缺陷种类和浓度变化所致。