%0 Journal Article
%T Effect of in-situ annealing on the structure and photoluminescence of ZnS thin films<br>原位退火对磁控溅射制备的ZnS薄膜微结构和发光性能的影响
%A SHI Gang
%A LI Ya-Jun
%A ZUO Shao-Hu
%A JIANG Jin-Chun
%A HU Gu-Jin
%A CHU Jun-Hao
%A <br>石刚
%A 李亚军
%A 左少华
%A 江锦春
%A 胡古今
%A 褚君浩
%J 红外与毫米波学报
%D 2011
%I Science Press
%X 采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜，利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300℃～500℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响。结果表明退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大小的影响不大，但会显著影响其发光特性。低温退火处理的薄膜的PL谱具有多个发光峰，而500℃退火的薄膜则表现为单一发光峰结构。PL谱的这种变化是由于退火引起ZnS薄膜中的缺陷种类和浓度变化所致。
%K ZnS films
%K in-situ annealing
%K photoluminescence
%K magnetron sputtering<br>ZnS薄膜
%K 原位退火
%K 光致发光
%K 磁控溅射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=5A63F5AD7FC6A6791F634490A0BB7F37&yid=9377ED8094509821&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=B31275AF3241DB2D&sid=B7B25E832E7F23D8&eid=25467A5A28500A25&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=17