INFLUENCE ON GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTOR OF PROTON IMPLAN TATION AND RAPID THERMAL ANNEALING
质子注入和快速退火对GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的影响

Keywords: proton implantation,rapid thermal annealing,QWIP
质子注入,快速退火,量子阱红外探测器

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Abstract:

利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs 量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×10

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